首先，我们需要了解什么是空间电荷区。空间电荷区又称为耗尽层，是在PN结形成过程中，由于P型和N型半导体中的多数载流子扩散到对方区域而形成的。在这个区域内，主要存在的是少数载流子和固定离子电荷，这些电荷的存在使得该区域具有一定的电势差。
当PN结施加正向电压时，外加电场的方向与内建电场相反，这会削弱内建电场的作用。随着正向电压的增加，空间电荷区的宽度开始逐渐减小。这是因为正向电压促进了多数载流子的漂移运动，增加了导电性，并减少了需要维持电势差的空间电荷数量。
因此，在正向偏置状态下，PN结的空间电荷区将变窄。这种变化对于理解二极管和其他半导体器件的工作原理至关重要，因为它直接影响了器件的电流-电压特性。
通过上述分析可以看出，正确答案应该是：变窄。这一过程不仅展示了半导体材料的独特性质，也为设计高性能电子设备提供了理论基础。
